在全球半导体竞争持续升温之际，曾参与台积电3奈米先进制程相关研发工作的中国科学家达博，近日辞去日本国立材料研究所（NIMS）终身职位，率领核心研发团队返回中国，受聘担任中国科学技术大学讲席教授。

消息曝光后，引发半导体产业与学界高度关注，有分析指“北京在半导体战中取得一场重大的情报与人才胜利”。

综合大公报等多家媒体报道，现年40岁的达博出生于甘肃陇南，曾以高考状元身分考入中国科学技术大学，完成本硕博连读培养后，于2013年前往日本从事博士后研究。赴日仅一年，便获得日本国立材料研究所终身职位，成为该机构最年轻的终身学者之一。

达博长年投入半导体先进制程相关研究，是少数深度参与国际一线半导体产业项目的中国籍学者。报道指出，他曾主导美国半导体设备大厂泛林集团（Lam Research）与日本国立材料研究所的联合研发计划，研究领域涵盖电子束检测设备、刻蚀制程关键材料及核心零组件等技术，相关成果并应用于台积电日本熊本厂3奈米量产线配套技术开发。

其中，达博团队聚焦的电子束检测与刻蚀材料，被视为先进芯片制造不可或缺的重要环节。业界认为，这些技术对7奈米以下先进制程的稳定量产具有重要支撑作用，也是目前全球半导体产业竞逐的核心领域之一。

除了参与产业研发，达博在学术领域亦有所突破。报道提到，他带领团队研制出世界首块圆柱对称旋转晶体，并提出“电子衍射光学”新技术方向，希望借由电子束技术突破传统光学系统限制，为新一代芯片检测设备提供新的发展路径。

此次返国决定也受到外界瞩目。据报道，达博在提出离职后，曾获日本国立材料研究所多次挽留，包括提供续聘终身职位、增加研究经费及扩建专属实验室等条件；泛林集团及多家海外企业亦提出优厚待遇，希望延揽或留任这位半导体专家，但最终均未能改变其回国决定。

达博受访时曾表示，希望未来能推动中国半导体设备、材料及核心零组件技术发展，提升至世界先进水准。据了解，部分团队成员已率先抵达安徽合肥，著手进行相关产业化平台建设工作。

大公报分析指出，目前中国半导体产业在部分设备领域已取得进展，但关键材料、核心零组件与高阶检测技术仍存在挑战。达博团队所专长的电子束检测、新型晶体材料及高端材料制备技术，正好对应相关技术需求，因此被视为有助于推动产业升级的重要人才与研发力量。

中国科学家达博。(取材自游侠网)