根据韩国经济日报（Korea Economic Daily）报道，三星计划在2031年前推出1纳米制程芯片，采用“叉片式”（fork sheet）方法，从而在相同面积内封装更多晶体管。

　　三星除了研发第二代和第三代2纳米GAA（全环闸极）制造外，一份最新报告指出，三星正在努力推出其最先进的1纳米技术，该技术被誉为“梦幻半导体”（dream semiconductor）制程。这家韩国巨头还需要几年时间才能准备好展示这项技术。

　　据称，三星1纳米研发计划将于2030年完成，制造流程设计于2031年推出。当然，将制程从2纳米缩小到1纳米几乎是不可能的任务，但据说三星将采用“叉片式”（fork sheet）方法，从而在相同面积内封装更多晶体管。

　　所有三种2纳米制程都采用GAA技术，该技术透过将电流路径从三个通道扩展到四条通道来最大限度地提高能源效率。因此，在1纳米制程中采用相同的技术效果并不理想。

　　根据《韩国经济日报》指出，三星计划透过在GAA装置之间添加一层非导电隔膜来实现其2纳米以下制程的量产，类似于在可用空间中插入叉子，因此得名“叉片”。

　　与住宅建筑中草坪环绕建筑的做法类似，三星的做法是移除这些草坪，增加更多结构，从而在相同的芯片面积内制造更多晶体管。

　　wccftech报道，去年，有传言称三星出于不明原因取消其1.4纳米制程，但后来有报道称，该公司已将该流程推迟至2028年，可能是因为其希望将注意力转移到2纳米GAA技术上。

　　三星持续面临生产难题，很可能是因为当时它没有探索采用分片制程。借助进一步的研究，该公司或许已经解决了这个问题，但其1纳米制程能否成功实施，还有待时间检验。以Exynos 2600为例，芯片有功耗尖峰问题，在执行Geekbench 6等基准测试时，SoC的功耗高达30W，显示三星尚未解决其2纳米GAA制程的能源效率问题。

　（彭博资料照片）