路透引述两名知情人士说法报导，中国大陆记忆体制造商长鑫存储计划开始生产先进高频宽记忆体HBM3E，尽管良率可能低达20%。

此一决定凸显中国面临AI记忆体严重短缺的困境。在美国限制取得外国技术之际，这类芯片是中国推动大规模开发辉达（NVIDIA）AI处理器国产替代品的重要关键，而相关计画也获得中国政府支持。

知情人士表示，中国最大DRAM制造商长鑫已向几家本土AI芯片设计业者提供HBM3E样品，预期未来两个月内开始小规模生产；在良率方面，目前仅约20%至30%，远低于市场龙头南韩SK海力士约70%的良率。

长鑫未回应置评请求，SK海力士则未立即回应有关良率估算的置评请求。

在2024年12月，美国紧缩部分先进HBM产品出口至中国的管制。知情人士说，中国芯片制造商愈来愈常透过非正式管道取得这类记忆体，但价格可能高出正常水准数倍。

知情人士指出，尽管良率偏低，长鑫仍持续推动HBM的生产计划，原因在于中国AI芯片制造商一直难以取得足够的先进记忆体，无法进一步扩大产量。

路透上月报导，华为、寒武纪、沐曦及天数智芯，已将现有与下一代AI芯片的价格调涨20%至 50%，反映记忆体成本上升，使得扩产面临更复杂因素。

其中一名知情人士表示，长鑫的HBM3E预期将比海外竞争同业的同类产品更贵。知情人士另指出，长鑫最早在2024年就已开始在内部研发这项技术。

落后竞争同业数个世代

其中一名知情人士表示，在测试中，长鑫HBM3E的效能更接近SK海力士上一代的HBM3，而非后者现有的HBM3E。

另一名知情人士表示，长鑫已向客户提供两种版本的HBM3E：一种是标准设计，另一种则是经过更新、加入旨在提高良率的改良设计。

目前，SK海力士、三星电子及美光主导全球HBM供应，根据研调机构Counterpoint，这三家业者在全球HBM营收的占比分别为50%、33%与18%。

长鑫在第2季占全球DRAM营收的10%，是全球第四大传统记忆体供应商。然而，美国出口管制限制长鑫取得一些最先进的芯片制造设备，因此更难缩小与全球竞争同业的差距。

三星今年7月表示，已扩大HBM4 销售，并向主要客户交付 HBM4E 样品。这意味著，在商业化 HBM生产方面，长鑫至少落后一个世代。