加拿大半导体研究机构《TechInsights》发布拆解华为麒麟9030 Pro报告，这款芯片采中芯国际 N+3 制程（7奈米制程进阶版），研究团队逐层逆向还原中芯N+3。

在美国持续封锁中国取得先进芯片设备之际，中芯虽靠DUV技术持续推进，但最新实测再次揭开一大硬伤，制程微缩程度仍明显落后台积电及三星5奈米，凸显中国无法取得EUV设备下，推进先进制程的局限性。

TechInsights 公布最新研究，针对华为海思麒麟9030 Pro进行制程进行逆向工程，深入拆解由中芯国际N+3制程的芯片。这次研究不只确认使用何种制程，更进一步从电晶体到金属互连逐层分析，试图回答外界高度关注的问题：中芯N+3与台积电、三星领先制程相比，究竟还有多少差距？

TechInsights指出，最新分析涵盖前段制程（FEOL）及后段制程（BEOL）的关键尺寸、图案化策略与完整微影光罩组合，透过实际量测，可以进一步掌握中芯N+3的图案化复杂度、金属堆叠架构及微影设备能力。

TechInsights先前已拆解华为Mate 80 Pro Max搭载的麒麟9030。当时外界对这款处理器究竟采用5奈米、6奈米，或中芯N+2改良制程众说纷纭。由于中芯并未公布相关制程路线图，TechInsights透过芯片结构及尺寸实测，最终确认麒麟9030采用中芯N+3。

研究指出，中芯N+3是原本7奈米制程的进阶版。在无法取得最先进EUV设备下，中芯持续利用深紫外光（DUV）技术推进制程。先前研究显示，N+3相较N+2已取得具有意义的密度提升，但TechInsights同时确认，中芯N+3的微缩程度仍明显落后台积电及三星已商用的5奈米制程。

在美国持续限制中国取得先进半导体设备之际，这项研究另一层意义，在于检视中国先进芯片制造自主化的实际进度。TechInsights认为，相关结果除了可作为晶圆代工技术竞争的比较依据，也有助于评估设备需求，以及中芯在缺乏EUV的情况下，利用DUV推进先进制程的局限性。

半导体研究机构揭露中国芯片技术现况及困境。示意图。（路透）