美国科技政策与出口管制专家麦奎尔（Chris McGuire）针对中国复制ASML的EUV（极紫外光）曝光机一事受访指出，即便中国在实验室层级取得部分进展，距离可长时间稳定运作、具备量产与商业可行性的 EUV 曝光机，仍存在数个世代的技术与良率落差。这意味著，即使“做得出来”，也未必“用得起、卖得动”。

麦奎尔曾任拜登政府白宫国安会官员、现为外交关系协会资深研究员。

他指出，近期市场热议中国是否正在推动类似“曼哈顿计划”等级的 EUV（极紫外光）曝光机研发，甚至认为一旦突破，将动摇全球半导体版图。然而，从产业现实与投资角度来看，这类说法明显高估了短期冲击力。

麦奎尔强调，EUV 并非单一设备，而是由高能光源、多层反射镜、真空系统与极高精度同步控制所构成的系统工程。即便中国在实验室层级取得部分进展，距离可长时间稳定运作、具备量产与商业可行性的 EUV 曝光机，仍存在数个世代的技术与良率落差。

他进一步指出，出口管制的实际效果亦常被市场误解。管制政策并非要完全阻断中国技术发展，而是透过延长研发时程、提高成本与降低制程稳定度，来拉开与先行者的差距。对投资人而言，这代表中国半导体产业的风险不在于“突然追上”，而在于长期资本投入效率偏低、回报周期拉长。

在制程路线上，中国确实尝试以 DUV 多重曝光、制程堆叠与芯片模组化（chiplet）等方式，功能性逼近先进制程，但其代价是功耗上升、成本激增，商业竞争力明显受限。这也解释了为何相关产品多集中于政策导向或内需市场，而难以形成全球价格竞争力。

对 AI 与高效能运算市场而言，先进制程的关键价值在于能效比而非单纯算力。成熟制程仍可支撑部分 AI 应用，但在大型模型训练与资料中心场景中，落后一到两代制程即意味著营运成本结构的系统性劣势。

麦奎尔说，整体而言，中国在半导体设备与先进制程上的追赶将是一场十年以上的长期耐力赛，而非短期技术突袭。对全球投资布局来说，ASML、台积电等掌握 EUV 与先进制程整合能力的企业，其护城河短期内仍难以被实质撼动；真正需要留意的，反而是中国持续高额补贴对成熟制程与特定应用市场造成的结构性扰动。