美国投行高盛最新发布研究报告称，中国大陆在半导体制造关键环节的光刻机研发上仍存在瓶颈，而大陆国产光刻机目前仍停留在65奈米制程，至少落后西方国际大厂20年的时间。

英国科技媒体wccftech引述高盛报告指出，目前极紫外光（EUV）光刻机、高数值孔径（High NA）EUV光刻机等最先进的光刻机只有荷兰公司ASML能够制造。但由于ASML的这些光刻机依赖于美国原产的关键零组件，导致美国政府能针对它们对陆的销售加以限制。

报告称，即便大陆芯片制造巨头中芯国际能生产出7nm制程的芯片，但是这些7nm芯片极有可能还是通过ASML较旧的深紫外光（DUV）光刻机来生产制造，因为中国目前尚不具备制造这类先进光刻机的能力，因为这些设备的核心零组件主要来自全球供应商，尤其是美国和欧洲的供应商。中国国产的光刻机的技术水平仍停留在相对陈旧的65nm制程。

高盛报告还引述公开数据强调，ASML为了从65nm技术跃升至低于3nm的光刻能力，经过了二十年的时间，并投入了高达400亿美元的研发与资本支出。 因此综合考量中国当前技术水平与所需庞大投入，以及全球供应链的复杂依赖性，该行认为大陆光刻机厂商在短期内赶上西方先进技术的可能性较小。 这无疑为中国在高端芯片领域达成自给自足的愿望，设下了巨大的障碍。

值得注意的是，近期大陆国内半导体装备知名企业、与华为有关联的新凯来宣布将参加4日至6日在无锡举行第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025），外界关注这次新凯来是否会真正推出在光刻机突破性产品。今年3月新凯来大张旗鼓参加上海国际半导体展，发布覆盖半导体制造全流程的31款设备，并以“名山系列”命名（武夷山、峨眉山、普陀山、莫干山等）设备，引发行业震动，但并未有针对外界期待光刻技术的亮点突破。

美国投行高盛最新研报称，中国国产光刻机目前仍停留在65奈米制程，至少落后西方国际大厂20年的时间。图为ASML公司员工组装曝光机。（路透）