| 大突破?中国展出国产EUV 样机曝光 全网嘲讽 | |
| www.wforum.com | 2026-10-15 12:16:43 壹苹新闻网 | 0条评论 | 查看/发表评论 |
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正在中国上海举行的中国国际工业博览会上,一家上海新创厂商展出声称是7奈米以下最先进制程芯片所需极紫外光(EUV)微影设备样机。 不过,这个样机外型粗糙简陋,更离谱的是没有任何数据资料,现场人员坦承,就算是一切顺利的话,仍需要3到5年才能量产。中国网友质疑,这是新创公司涉嫌募资发爱国财。 中国遭到美国科技封锁,其中最需要的就是晶圆制造的ASML极紫外(EUV)曝光机。中国以举国体制全力研发,依旧卡关困难重重。其中,美国阻止荷兰艾司摩尔(ASML)向中国出口EUV微影设备后,中国自行开发深紫外光(DUV)微影设备,以提升先进制程竞争力。 中央社报道,而生产最先进芯片所需的EUV,目前仍是由艾司摩尔垄断市场。因此在传出中国研发自制生产EUV后,研发进度一直是外界关心的话题。 不接受访问 在工博会亮相的这台大型EUV样机,未放在与积体电路相关的热门展馆,而是低调置于创新科技馆内上海市专属展区中。面对媒体记者询问细节,现场人员一概以不接受访问拒绝。 据研制厂商朗道科技在展会现场提供的书面简介,朗道科技在2024年设立朗道光源专案,聚焦半导体制造核心技术EUV微影设备光源。
正在中国上海举行的中国国际工业博览会上,一家上海新创厂商低调展出“声称”是7奈米以下最先进制程芯片所需极紫外光(EUV)微影设备样机,外型粗糙简陋。中央社 相较于对产品解说的低调,由于创新科技馆旁就是中国各大学院校展示研究成果的展馆,一旦有年轻学生停驻,工作人员会立即递上包含全职和实习职位的征才文宣。工作人员说,“我们是新公司,非常需要人才”。
ASML极紫外(EUV)曝光机 |
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