中国记忆体大厂长鑫存储（CXMT）一项最新技术进展，竟引发全球半导体股震荡！据报道，长鑫宣布在新一代DRAM记忆体架构取得关键进展，计划今年底推出采用4F²技术的伺服器记忆体产品，消息引发市场担忧，中国厂商可能加速缩小与三星电子、SK海力士及美光的技术差距，进一步威胁全球记忆体大厂的竞争优势。

　　《IBTimes》指出，中国长鑫的一项技术进步，可能能够生产出更有效率的记忆体芯片，从而在更小的空间内储存更多的数据，此消息一出令投资者感到震惊。

　　据《Morningstar》10月14日报道，长鑫的新技术消息加剧投资人对中国竞争的疑虑，三星与SK海力士自周一开盘以来，股价分别累计下跌约13%及15%。美国记忆体大厂美光与SanDisk也在13日分别下跌约5%及3%，欧洲半导体设备及芯片业者ASML、BE Semiconductor与意法半导体则下跌约2%至4%。

　　这项技术究竟有何突破？根据《TrendForce News》报道，长鑫总裁曹堪宇10日在上海举行的产业会议上，介绍新一代4F² DRAM架构。相较目前主流的6F²设计，4F²可缩小单一记忆体单元所占面积，理论上使相同芯片面积的记忆体密度提高约30%至50%。

　　长鑫采用的技术包括垂直环绕闸极电晶体（VSG），有助改善电晶体控制能力，降低漏电流及短通道效应，并探索利用晶圆混合键合技术改善记忆体单元与周边电路的连接。曹堪宇表示，公司已公布超过300个与4F²架构相关的专利家族。

　　值得注意的是，长鑫计划今年底推出采用新架构的伺服器DDR5 RDIMM产品，显示其正积极切入原本由国际记忆体大厂主导的伺服器市场。

　　《Morningstar》股票分析师Jing Jie Yu指出，长鑫的宣布打乱市场对新一代记忆体技术开发时程的预期。如果长鑫能比竞争对手更早实现商业化，将凸显中国DRAM产业的技术竞争力。考量中国正在快速扩张DRAM产能，也可能增加未来市场供应过剩的风险。

　　不过，三星与SK海力士同样正在开发4F²相关技术。 TrendForce News指出，三星已展示结合4F²单元与混合键合技术的16Gb原型产品，而长鑫年底推出新产品，也不代表已具备大规模量产能力，新产品甚至可能仅部分采用4F²架构。

　　此外，《路透》指出，这波半导体股跌势也受到市场对AI投资支出的担忧影响。博通执行长陈福阳日前将部分AI投资行为比喻为赌场投机，进一步加重市场疑虑。因此，长鑫技术消息虽然引发全球记忆体股卖压，但新架构能否真正实现商业化，仍有待观察。

资料照片（法新社）