英特尔代工服务（Intel Foundry）实现新的里程碑，成功研发出全球首款、也是最薄的氮化镓芯片（GaN chiplet），厚度仅19 微米。

　　科技媒体《Wccftech》4月9日报道，英特尔发布新闻稿指出，英特尔晶圆代工中心的研究人员展示一种基于300 毫米矽基氮化镓晶圆的首创氮化镓芯片技术，标志着半导体设计领域的重大飞跃。

　　英特尔指出，这项成果在2025 年IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上发布，旨在解决现代计算领域最紧迫的挑战之一：如何在日益紧凑的空间内提供更强大的性能、更快的速度和更高的效率。为了满足图形处理器、伺服器和无线网络对更高性能的需求，英特尔晶圆代工中心团队开发一种超薄氮化镓芯片，其基底矽的厚度仅为19 微米，大约是人类头发丝宽度的5分之1，以及业界首个完全单片整合的芯片上数字控制电路，所有这些都采用单一的整合制造工艺完成。

　　英特尔说，这项创新的需求源于现代电子产品的难题，也就是如何在更小的空间内整合更多功能，同时还要应对更高的功率负载和更快的资料传输速度。传统的矽基技术正接近其物理极限，业界一直在寻求氮化镓（GaN） 等替代材料来弥补这一差距。英特尔晶圆代工将超薄GaN 芯片与片上数字控制电路相结合，省去单独的配套芯片，降低元件间讯号传输过程的能量损耗。全面的可靠性测试进一步证明，该平台有望成为实际产品的有力候选方案。

　　这项技术为多个行业的切实改进打开大门。在资料中心，氮化镓（GaN）芯片的开关速度更快，能耗更低，优于矽芯片。在无线基础设施领域，GaN电晶体的高频性能使其成为射频（RF）前端技术的理想选择，可应用于未来十年部署的5G、6G 通讯基地台。

英特尔成功研发出全球最薄的氮化镓芯片（GaN chiplet） （图取自Intel Foundry）