由于内存短缺、价格狂飙，传出中国DRAM龙头长鑫存储（CXMT）正大举扩厂，趁机抢商机。 不过，韩媒最新披露，长鑫存储去年第四季已达到产能高峰，目前正面临极限，原因是美国出口管制收紧，限制长鑫存储的产能扩张。 另外，长鑫存储的DRAM良率仍是瓶颈，实际出货量可能低于预期。

韩媒《Chosun Biz》12日报道，长鑫存储的产能已于去年第四季达到峰值，目前面临产能瓶颈。 尽管中国政府全力推动半导体设备本土化，外界认为，美国对先进半导体设备的出口规定，将限制其新增产能。

根据市场调查公司 Omdia 于 12 日获得的数据，长鑫存储月平均晶圆产量已达到约 24 万片的最高点。 业内人士预测，自2024年以来持续扩大产能的长鑫存储，今年的产量将遇到瓶颈。

长鑫存储目前的DRAM产能估计约为业界第二大厂商SK海力士的一半，略高于三星电子的三分之一。 去年，三星电子的DRAM年产能约760万片晶圆，SK海力士为597万片，美光为360万片。 去年，长鑫存储的晶圆产量翻倍，扩大其市占，但今年其成长速度似乎有所放缓。

LS Securities 研究员车勇浩（音译）表示，美国出口管制收紧，限制长鑫存储的产能扩张。 北京深知此事，目前中国大基金正集中于半导体设备。 他补充说，如果中国明年成功让设备本地化，产能扩建可能从2027年恢复，包括长鑫存储新上海晶圆厂。

然而，长鑫存储DRAM产量的良率仍是瓶颈。 尽管该公司大力投资扩厂，实际产量仍难以达到预期目标。 原因在于良率低导致产能与实际产量之间存在差距。 由于产品缺陷等问题，实际出货量可能低于预期。

一位半导体行业内部人士指出，与NAND闪存不同，由于DRAM设计和工艺的复杂性，长鑫存储需要相当长的时间，才能推出类似于三星电子或SK海力士的先进制程。 他补充，随着工艺进展到低10纳米，对EUV曝光系统等尖端设备的需求增加，但美国的限制使得（中国）取得这些设备变得很困难。

受到美国出口限制冲击，中国长鑫存储产能扩张受限。 示意图。 （路透）