中国传出突破技术门槛打造出极紫外光（EUV）微影设备原型机，被视为中国版“曼哈顿计划”，引起半导体业震撼。 不过，业界专家认为，这只是透过抄袭、复制迈出追赶技术的第一步，能否造出可量产EUV微影设备还有待观察，大家可“持续关注”，但对此“无须过度紧张”，何况，ASML、台积电等领先者会继续向前冲，继续维持领先地位。

仅EUV光源无须过度紧张

半导体专家指出，中国EUV技术突破，严格来讲，仅限于能产生EUV光源，并非完整机台，也就是说能成功“打出EUV的光束”，但这不等于制造出完整的EUV微影设备。 技术是利用激光和锡滴（laser-produced plasma）产生符合EUV等级波长的光源，这是目前ASML用于先进半导体制程的核心技术，以维持摩尔定律的持续。

专家推估，相较于ASML从零开始研发微影设备到可量产，共花费18年，中国透过挖角、抄袭和倾全国之力，宣称打造原型机，这只是踏出整个复杂系统中的“第一步”，短期内对产业没有影响，但也代表一个关键的技术突破口，不可小觑，需要持续关注其进展。 从长期来看，估计研发时程可能在6年到10年，中国有机会制造出可进入生产的EUV微影设备机台，届时将能生产3纳米及以下的先进制程芯片。

中处于追赶 非颠覆式创新

从冲击半导体影响层面分析，专家认为，真正的威胁来自颠覆性的创新技术，中国处于“追赶”阶段，并非“颠覆式创新”。 他强调，只要中国沿袭现有EUV技术路径进行追赶，并非“弯道超车”，欧美及台湾等自由世界的半导体业就不需过度恐慌，因为追赶的路径是已知的、可控的，领先者可以持续创新，甚至透过“陷阱”误导复制者，都可维持优势。

专家认为，中国的体制倾向于将资源集中在已有突破的“追赶型”技术上，这会吸走原本可能用于真正颠覆式创新的资源。 中国打造出EUV光刻设备原型机，也循着抄袭+工程优化模式，凸显中国在科学层面的原创性较弱。

专家并指出，AI对半导体未来格局将有巨大变化，中国在EUV技术上取得初步突破，掌握产生光源的技术，但距离制造可商用的完整EUV微影设备机台仍有非常遥远的距离，大家可“持续关注”，但对此“无需过度紧张”，因未来6-10年之间，自由世界的科技会继续进步，ASML、台积电等领先者会不断向前冲，持续创新以维持领先地位。

中国EUV曼哈顿计划，台美专家踢爆真相。 （路透）

中芯7纳米透过DUV偷吃步

外媒日前报道，在深圳一座高度戒备的实验室内，中国科学家已打造出EUV微影设备原型机，目前正进行测试中，体积几乎占满整个工厂楼层，这项设备是曾任职ASML的工程师团队打造，透过逆向工程仿制ASML的EUV，这项计划堪称中国版“曼哈顿计划”，犹如美国于世界第二次大战时期研发原子弹的机密工程。 全球仅ASML生产EUV微影设备，每台价格高达数亿美元，是生产先进制程不可或缺的关键设备，地缘政治阻力，ASML被禁售EUV微影设备给中国，中国仅能透过深紫外光（DUV）设备生产成熟制程的芯片、或多重曝光生产5或7纳米制程芯片。