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中国科学家突破技术壁垒
www.wforum.com | 2024-04-05 17:31:39  中时新闻网 | 0条评论 | 查看/发表评论

新华社客户端5日报道,华东理工大学清洁能源材料与器件团队,日前自主研发了一种钙钛矿单晶芯片通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代高性能光电子器件提供了丰富材料库。 

相关成果发表于国际学术期刊《自然·通讯》。

报道称,长期以来,国际上未有钙钛矿单晶芯片的通用制备方法,传统方法仅能以满足高温环境、生长速率慢的方式制备几种毫米级单晶,极大限制了单晶芯片的实际应用。

对于钙钛矿单晶芯片生长所涉及的成核、溶解、传质、反应等多个过程,华东理工大学团队结合多重实验论证和理论模拟,揭示了传质过程是决定晶体生长速率的关键因素。

由此研发了以二甲氧基乙醇为代表的生长体系,通过多配位基团精细调控胶束的动力学过程,使溶质的扩散系数提高了3倍。

在高溶质通量系统中,研究人员实现了将晶体生长环境温度降低摄氏60度,晶体生长速率提高4倍,生长周期由7天缩短至1.5天。

该成果主要完成人之一、华东理工大学教授侯宇说,“我们突破了传统生长体系中溶质扩散不足的技术壁垒,提供了一条更普适、更高效、更低条件的单晶芯片生长路线。 ”

中国科学家突破技术壁垒

突破技术壁垒!中国科学家自主研发钙钛矿单晶芯片通用生长技术。 图为华东理工大学科研人员展示钙钛矿单晶芯片通用生长技术。 (新华社)

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