中国芯片制造商长江存储（YMTC）11月9日在美国加州北区联邦地方法院，向美国竞争对手美光（Micron）提起诉讼，指控美光侵犯8项专利。诉状称，美光利用这些专利技术，来对抗长江存储的竞争，并藉此获得、保护自己的市佔，也没有支付合理的费用来使用这些专利。

　　长江存储声明指出，虽然目前无法讨论未决诉讼的具体细节，但证实，长江存储近期已向加州地方法院提出诉讼，指控美光侵犯公司与3D NAND（储存型快闪记忆体）设计、制造和销售相关的专利。长江存储发言人表示，公司致力于追求进步和产品创新，同时也坚定的保护自身的智慧财产权，有信心这一案件能尽速解决。

　　中国宣称 记忆体已领先全球

　　美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层及232层3D NAND。长江存储在诉状中称，公司已经不再是记忆体领域的新秀，而是全球3D NAND市场的要角。并指出，加拿大产业研究公司TechInsights先前报告得出结论，长江存储是3D NAND快闪记忆体领域的领导者，超车美光。

　　中国分析师表示，长江存储最新的行动，是中国记忆体芯片企业正式对美国芯片商发起反击的重要事件，也代表中企在记忆体芯片领域“领先全球”，完全摆脱美国制裁。

　　以两家公司的技术来看，长江存储在2018年量产了第一代32层3D NAND，2020年研发出128层3D NAND产品，并在去年8月宣布推出232层3D NAND，但随后在2022年10月，美国政府公佈出口管制，限制芯片制造设备出口中国；美光则是市场长期公认的3D NAND技术领导厂商，2020年量产176层3D NAND，并在2022年推出232层3D NAND。

　　美光在中国市场比重 迅速殒落

　　中国曾是美光最大的市场，美光2017会计年度营收为200亿美元，其中半数来自中国。到了2022年，美光在中国市场销售额缩减33亿美元，佔整体比重剩11％。美光在当时的年报中曾提到，北京可能会出手限制美光参与中国市场，或是可能阻止美光与中企进行有效的竞争，美光也在同年关闭了上海的DRAM（动态随机存取记忆体）业务。

　　近年来，美国以国安为由，扩大了向中国出口芯片制造技术的限制，长江存储也被列入出口黑名单。作为对美方的反击，中国当局在今年3月底宣布对美光的产品进行网络安全审查。中国5月表示，美光产品并未通过安全审查，并禁止关键基础设施营运商购买美光产品。

　　长江存储指控美光侵犯8项专利。（路透资料照）

　　中国曾与联电合作开发DRAM 遭美光控侵权

　　中国过去因缺乏DRAM技术，2016年找上联电（2303）与福建晋华合作，共同开发DRAM製程，由福建晋华出资，委任联电在南科厂开发製程技术，后移转给晋华量产，当时也延揽多名原任职美光的主管、工程师跳槽。虽然联电和福建晋华的合作，因美中科技战被迫中止，却也掀起后续的官司战。

　　美光在2017年底控告晋华和联电，透过挖角前美光员工窃取公司芯片设计；隔年晋华和联电则在中国反告美光专利侵权，2018年7月美光在福建法院败诉，当时美光被禁止在中国销售26种产品。后来，美国商务部也以经济间谍罪起诉晋华、联电。

　　在诉讼缠斗将近5年时间后，2021年底，美光与联电共同宣布，达成全球官司和解协议，各自撤回向对方提出的诉讼，随后也扩大双方业务合作关係。