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韩国三星推出16千兆NAND型闪存芯片
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2005-09-12 17:15:31 点击: |
新华网汉城９月１２日电（记者张利）韩国三星电子公司１２日宣布，已在世界上率先开发出存储量达１６千兆（ＧＢ）的高密度ＮＡＮＤ型闪存芯片。
这种闪存芯片仅有手指甲盖大小，据称是世界上首款采用５０纳米制造技术生产的闪存芯片。一个１６千兆闪存芯片能容纳连续出版２００年的某份４０页日报的所有登载内容、８０００首ＭＰ３歌曲或３２小时的ＤＶＤ电影。
三星电子公司半导体业务总负责人黄昌圭，当天在汉城新罗饭店举行的新闻发布会上说，他们于去年９月展示了８千兆的ＮＡＮＤ型闪存芯片，今年则将这种芯片的存储量提高到１６千兆。三星电子公司从１９９９年生产２５６兆闪存芯片开始，其产品的半导体集成度连续６年呈现倍数增长。
黄昌圭说，ＮＡＮＤ型闪存芯片的集成度不断提高，将使数字产品更快地向小型和轻型化方向发展。随着明年下半年１６千兆的ＮＡＮＤ型闪存芯片投入大批量生产，将有望逐步占据现有微型电脑硬盘市场，各种数字产品所使用的传统硬盘有可能逐步被大容量高密度的闪存装置代替。
ＮＡＮＤ型闪存芯片是一种高密度快速存储芯片，主要用于制造数码相机、手机和ＭＰ３播放器的存储部件。目前，韩国三星电子公司和日本东芝公司在这一领域处于领先地位。
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| 编辑：龙芯 |
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